Pulverisation Cathodique

La pulvérisation cathodique permet de déposer des couches minces de métaux et oxydes d’épaisseur comprise entre quelques nm et quelques centaines de nm.

Les conditions de dépôt sont les suivantes :

• matériaux disponibles : métaux (Ti, Mo) et oxydes (ITO, ZnO, ZnO dopé Al, NiO, SiO₂)
• température du substrat entre l’ambiante et 300°C
• flux d’Ar entre 5 sccm et 100 sccm.
• puissance RF jusqu’à 150 W
• puissance DC jusqu’à 300 W
• distance substrat – cibles : ~ 5 cm
• diamètre des cibles : 2 pouces
• homogénéité épaisseur ~ 95% sur 2x2 cm²
• vitesses de dépôt typiquement inférieures à 1 nm/s
• contrôle de l’épaisseur par oscillateur quartz
• dépôt sur verre, Si, quartz, saphir (Al₂O₃), polymère, SrTiO₃ …
• pas de mode réactif (pression partielle d’oxygène ou autre gaz)
• pas de possibilité de dépôt de multicouche

Applications :

• métallisations (Mo, Ti) pour la microélectronique et le photovoltaïque
• couches isolantes (SiO₂) pour la microélectronique
• couches transparentes conductrices (ITO) pour le photovoltaïque

Analyses complémentaires possibles :

• absorption UV-visible (détermination du seuil d’absorption)
• diffraction de RX
• caractérisation électrique (effet Hall)

Responsable : Silviu Colis
Personnel technique : Sébastien Brauchi